Rohm Semiconductor - RSE002P03TL

KEY Part #: K6421513

RSE002P03TL Цэнаўтварэнне (USD) [682886шт шт]

  • 1 pcs$0.05988
  • 3,000 pcs$0.05958

Частка нумар:
RSE002P03TL
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RSE002P03TL. RSE002P03TL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSE002P03TL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RSE002P03TL
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 30pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 150mW (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : EMT3
Пакет / футляр : SC-75, SOT-416

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў