Vishay Siliconix - SI1013R-T1-GE3

KEY Part #: K6420200

SI1013R-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [644086шт шт]

  • 1 pcs$0.05743
  • 3,000 pcs$0.05168

Частка нумар:
SI1013R-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI1013R-T1-GE3. SI1013R-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1013R-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI1013R-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 350mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±6V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 150mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SC-75A
Пакет / футляр : SC-75A

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў