Частка нумар :
IPB020N10N5ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
210nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
15600pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
375W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB