Частка нумар :
SI7452DP-T1-E3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
11.5A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 19.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
160nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.9W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8