Vishay Siliconix - SI2303CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6421493

SI2303CDS-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [636719шт шт]

  • 1 pcs$0.05809
  • 3,000 pcs$0.04953

Частка нумар:
SI2303CDS-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-GE3. SI2303CDS-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2303CDS-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI2303CDS-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 155pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў