Toshiba Semiconductor and Storage - TK7A65W,S5X

KEY Part #: K6418595

TK7A65W,S5X Цэнаўтварэнне (USD) [69531шт шт]

  • 1 pcs$0.76512
  • 50 pcs$0.61862
  • 100 pcs$0.55674
  • 500 pcs$0.43301
  • 1,000 pcs$0.33938

Частка нумар:
TK7A65W,S5X
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W,S5X. TK7A65W,S5X можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7A65W,S5X Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK7A65W,S5X
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 490pF @ 300V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 30W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220SIS
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack