ON Semiconductor - 2N7000

KEY Part #: K6419854

2N7000 Цэнаўтварэнне (USD) [198981шт шт]

  • 1 pcs$0.18588
  • 10 pcs$0.13526
  • 100 pcs$0.07954
  • 500 pcs$0.04503
  • 1,000 pcs$0.03452

Частка нумар:
2N7000
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor 2N7000. 2N7000 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7000 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 2N7000
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 50pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 400mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-92-3
Пакет / футляр : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў