Infineon Technologies - IRF2804STRL7PP

KEY Part #: K6399325

IRF2804STRL7PP Цэнаўтварэнне (USD) [47477шт шт]

  • 1 pcs$0.82357
  • 800 pcs$0.79059

Частка нумар:
IRF2804STRL7PP
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF2804STRL7PP. IRF2804STRL7PP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2804STRL7PP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF2804STRL7PP
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 160A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 160A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6930pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 330W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK (7-Lead)
Пакет / футляр : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.