IXYS - IXFR27N80Q

KEY Part #: K6406751

IXFR27N80Q Цэнаўтварэнне (USD) [5194шт шт]

  • 1 pcs$9.21952
  • 30 pcs$9.17365

Частка нумар:
IXFR27N80Q
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFR27N80Q. IXFR27N80Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR27N80Q Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFR27N80Q
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 27A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOPLUS247™
Пакет / футляр : ISOPLUS247™

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK40P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

  • TK40P03M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

  • IRLR8256PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

  • IRLR8259PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

  • NDF08N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

  • NDF05N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V TO-220FP.