ES3CB-13-F Цэнаўтварэнне (USD) [350660шт шт]
- 1 pcs$0.10548
- 3,000 pcs$0.09441
- 6,000 pcs$0.08832
- 15,000 pcs$0.08222
- Частка нумар:
- ES3CB-13-F
- Вытворца:
- Diodes Incorporated
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 150V 3A SMB. Rectifiers 150V 3A
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated ES3CB-13-F. ES3CB-13-F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
ES3CB-13-F Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
ES3CB-13-F
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
DIODE GEN PURP 150V 3A SMB
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
150V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
900mV @ 3A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 150V
Ёмістасць @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка :
SMB
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
Гарачыя часткі
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18