Taiwan Semiconductor Corporation - TSM240N03CX6 RFG

KEY Part #: K6416954

TSM240N03CX6 RFG Цэнаўтварэнне (USD) [861391шт шт]

  • 1 pcs$0.04294

Частка нумар:
TSM240N03CX6 RFG
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG. TSM240N03CX6 RFG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM240N03CX6 RFG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TSM240N03CX6 RFG
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 345pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.56W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-26
Пакет / футляр : SOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.