UH1BHE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [793899шт шт]
- 1 pcs$0.04916
- 7,500 pcs$0.04892
- Частка нумар:
- UH1BHE3_A/I
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0A 100 Volt 25ns 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UH1BHE3_A/I. UH1BHE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
UH1BHE3_A/I Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
UH1BHE3_A/I
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.05V @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
17pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
-
GL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
Гарачыя часткі
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF