IXYS - IXTP86N20T

KEY Part #: K6394658

IXTP86N20T Цэнаўтварэнне (USD) [27709шт шт]

  • 1 pcs$1.71900
  • 50 pcs$1.71044

Частка нумар:
IXTP86N20T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 86A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTP86N20T. IXTP86N20T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP86N20T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTP86N20T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 86A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 480W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3