1N4150TAP Цэнаўтварэнне (USD) [3896725шт шт]
- 1 pcs$0.00949
- 50,000 pcs$0.00797
- Частка нумар:
- 1N4150TAP
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Тырыстары - SCR ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150TAP. 1N4150TAP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
1N4150TAP Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
1N4150TAP
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
150mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 200mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-35
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
-
MMBD914LT1HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
Гарачыя часткі
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF