Частка нумар :
DMTH6016LPSQ-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
9.8A (Ta), 37A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
17nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
864pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerDI5060-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN