Diodes Incorporated - DMP2005UFG-7

KEY Part #: K6394805

DMP2005UFG-7 Цэнаўтварэнне (USD) [245178шт шт]

  • 1 pcs$0.15086
  • 2,000 pcs$0.13405

Частка нумар:
DMP2005UFG-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMP2005UFG-7. DMP2005UFG-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2005UFG-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMP2005UFG-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 89A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4670pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.2W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI3333-8
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN