ITT Cannon, LLC - 120220-0202

KEY Part #: K7359492

120220-0202 Цэнаўтварэнне (USD) [779344шт шт]

  • 1 pcs$0.04770
  • 6,800 pcs$0.04746
  • 13,600 pcs$0.04271
  • 34,000 pcs$0.04208
  • 68,000 pcs$0.04113

Частка нумар:
120220-0202
Вытворца:
ITT Cannon, LLC
Падрабязнае апісанне:
UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD. Battery Contacts
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: RFID транспондеры, тэгі, RFID, доступ у РФ, маніторынг ІС, Расійскія аксэсуары, РФ демодуляторы, ІЧ-кантролер сілкавання РФ, Паслабнікі, Наборы для ацэнкі і развіцця РФ and РФ мадулятары ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ITT Cannon, LLC 120220-0202. 120220-0202 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0202 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 120220-0202
Вытворца : ITT Cannon, LLC
Апісанне : UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып : Shield Finger, Pre-Loaded
Форма : -
Шырыня : 0.035" (0.90mm)
Даўжыня : 0.132" (3.35mm)
Вышыня : 0.071" (1.80mm)
Матэрыял : Beryllium Copper
Пакрыццё : Nickel
Пакрыццё - таўшчыня : 118.11µin (3.00µm)
Спосаб укладання : Solder
Працоўная тэмпература : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.