Частка нумар :
DMT10H010LCT
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V TO220AB
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
98A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
71nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3000pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta), 139W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220AB
Пакет / футляр :
TO-220-3