ON Semiconductor - NVMFS6B75NLT3G

KEY Part #: K6401366

NVMFS6B75NLT3G Цэнаўтварэнне (USD) [3075шт шт]

  • 5,000 pcs$0.17937

Частка нумар:
NVMFS6B75NLT3G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVMFS6B75NLT3G. NVMFS6B75NLT3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B75NLT3G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVMFS6B75NLT3G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7A (Ta), 28A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±16V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 740pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.5W (Ta), 56W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў