IXYS - IXFQ34N50P3

KEY Part #: K6397727

IXFQ34N50P3 Цэнаўтварэнне (USD) [14520шт шт]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Частка нумар:
IXFQ34N50P3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFQ34N50P3. IXFQ34N50P3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ34N50P3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFQ34N50P3
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
Серыя : HiPerFET™, Polar3™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 34A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3260pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 695W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.