Diodes Incorporated - DMN60H4D5SK3-13

KEY Part #: K6421202

DMN60H4D5SK3-13 Цэнаўтварэнне (USD) [389623шт шт]

  • 1 pcs$0.09493
  • 2,500 pcs$0.08497

Частка нумар:
DMN60H4D5SK3-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13. DMN60H4D5SK3-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN60H4D5SK3-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN60H4D5SK3-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 273.5pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 41W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252, (D-Pak)
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў