Частка нумар :
DMG6898LSD-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
26nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1149pF @ 10V
Магутнасць - Макс :
1.28W
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO