Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P10-E3/86A

KEY Part #: K6448769

[969шт шт]


    Частка нумар:
    V12P10-E3/86A
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division V12P10-E3/86A. V12P10-E3/86A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V12P10-E3/86A Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : V12P10-E3/86A
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
    Серыя : eSMP®, TMBS®
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Schottky
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 12A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 700mV @ 12A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 250µA @ 100V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-277, 3-PowerDFN
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-277A (SMPC)
    Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў