Infineon Technologies - BUZ32 H

KEY Part #: K6398072

BUZ32 H Цэнаўтварэнне (USD) [52540шт шт]

  • 1 pcs$0.74422
  • 10 pcs$0.67147
  • 100 pcs$0.53943

Частка нумар:
BUZ32 H
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BUZ32 H. BUZ32 H можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUZ32 H Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BUZ32 H
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Серыя : SIPMOS®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 530pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 75W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.