Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650N15CR RLG

KEY Part #: K6396493

TSM650N15CR RLG Цэнаўтварэнне (USD) [185557шт шт]

  • 1 pcs$0.19933

Частка нумар:
TSM650N15CR RLG
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Зэнер - Масівы and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CR RLG. TSM650N15CR RLG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM650N15CR RLG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TSM650N15CR RLG
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 24A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1829pF @ 75V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 96W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-PDFN (5x6)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў