Vishay Siliconix - SISS10ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6397580

SISS10ADN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [331977шт шт]

  • 1 pcs$0.11142

Частка нумар:
SISS10ADN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SISS10ADN-T1-GE3. SISS10ADN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS10ADN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SISS10ADN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212
Серыя : TrenchFET® Gen IV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (макс.) : +20V, -16V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3030pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8S
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8S

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.