Частка нумар :
BSM50GB120DN2HOSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус часткі :
Not For New Designs
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
78A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
3.3nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module