Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31B-E3/D

KEY Part #: K6440291

EGP31B-E3/D Цэнаўтварэнне (USD) [247410шт шт]

  • 1 pcs$0.14950

Частка нумар:
EGP31B-E3/D
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,100V,50NS
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31B-E3/D. EGP31B-E3/D можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31B-E3/D Атрыбуты прадукту

Частка нумар : EGP31B-E3/D
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 950mV @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 117pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SD175SA45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.

  • SD175SC200A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 30A DIE.