MPG06A-E3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [1277615шт шт]
- 1 pcs$0.02895
- 11,000 pcs$0.02658
- Частка нумар:
- MPG06A-E3/54
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 1A MPG06. Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06A-E3/54. MPG06A-E3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
MPG06A-E3/54 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
MPG06A-E3/54
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 1A MPG06
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 1A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
600ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
MPG06, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
MPG06
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
DST5100S-A
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B
-
DST1050S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 50V TO-277B
-
DST2050S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 20A 50V TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 50V TO-277B
-
DST1050S-A
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 50V TO-277B
Гарачыя часткі
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G