Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A60W,S4VX

KEY Part #: K6393175

TK10A60W,S4VX Цэнаўтварэнне (USD) [33399шт шт]

  • 1 pcs$1.35736

Частка нумар:
TK10A60W,S4VX
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4VX. TK10A60W,S4VX можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A60W,S4VX Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK10A60W,S4VX
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 700pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 30W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220SIS
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LND150N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD18N20LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V DPAK-3.

  • FDD86102LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK.

  • FDD6296

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK.

  • FDD6680AS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.