ON Semiconductor - NTMSD6N303R2SG

KEY Part #: K6413340

[13133шт шт]


    Частка нумар:
    NTMSD6N303R2SG
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Модулі драйвераў харчавання ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTMSD6N303R2SG. NTMSD6N303R2SG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMSD6N303R2SG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NTMSD6N303R2SG
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    Серыя : FETKY™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 950pF @ 24V
    Функцыя FET : Schottky Diode (Isolated)
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.