Частка нумар :
DMN63D1L-7
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
380mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
0.3nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
30pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
370mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3