BAS40Q-7-F Цэнаўтварэнне (USD) [14058шт шт]
- 3,000 pcs$0.02401
- 6,000 pcs$0.02088
- 15,000 pcs$0.01775
- 30,000 pcs$0.01671
- 75,000 pcs$0.01566
- Частка нумар:
- BAS40Q-7-F
- Вытворца:
- Diodes Incorporated
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі and Модулі драйвераў харчавання ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated BAS40Q-7-F. BAS40Q-7-F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAS40Q-7-F Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAS40Q-7-F
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
40V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
200mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 40mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
5ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
200nA @ 30V
Ёмістасць @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 125°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Гарачыя часткі
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF