Частка нумар :
TPW1R005PL,L1Q
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
45V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
300A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
122nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
9600pF @ 22.5V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Працоўная тэмпература :
175°C
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-DSOP Advance
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN