Toshiba Semiconductor and Storage - TK46A08N1,S4X

KEY Part #: K6393035

TK46A08N1,S4X Цэнаўтварэнне (USD) [65859шт шт]

  • 1 pcs$0.65642

Частка нумар:
TK46A08N1,S4X
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 80V 46A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1,S4X. TK46A08N1,S4X можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK46A08N1,S4X Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK46A08N1,S4X
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
Серыя : U-MOSVIII-H
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 46A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2500pF @ 40V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 35W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220SIS
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў