Microsemi Corporation - UES1106

KEY Part #: K6440832

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - IGBT - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation UES1106. UES1106 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : UES1106

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.25V @ 1A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 400V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : A, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
BAT43 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.
SD175SB45B.T

SMC Diode Solutions

PIV 45V IO 30A CHIP SIZE 175MIL.
SD165SC150B.T

SMC Diode Solutions

PIV 150V IO 30A CHIP SIZE 165MIL.

Гарачыя часткі