Microsemi Corporation - APT100MC120JCU2

KEY Part #: K6396592

APT100MC120JCU2 Цэнаўтварэнне (USD) [386шт шт]

  • 1 pcs$119.97436
  • 10 pcs$114.18198
  • 25 pcs$110.04488

Частка нумар:
APT100MC120JCU2
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT100MC120JCU2. APT100MC120JCU2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100MC120JCU2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT100MC120JCU2
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 143A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.3V @ 2mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 360nC @ 20V
Vgs (макс.) : +25V, -10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5960pF @ 1000V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 600W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.