Частка нумар :
SIE806DF-T1-E3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
60A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
250nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
13000pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
10-PolarPAK® (L)
Пакет / футляр :
10-PolarPAK® (L)