Infineon Technologies - IRF7317TRPBF

KEY Part #: K6525324

IRF7317TRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [194329шт шт]

  • 1 pcs$0.19033
  • 4,000 pcs$0.18272

Частка нумар:
IRF7317TRPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF7317TRPBF. IRF7317TRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7317TRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF7317TRPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N and P-Channel
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.6A, 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 900pF @ 15V
Магутнасць - Макс : 2W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў