Vishay Siliconix - SIA447DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6411794

SIA447DJ-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [492035шт шт]

  • 1 pcs$0.07517
  • 3,000 pcs$0.07101

Частка нумар:
SIA447DJ-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIA447DJ-T1-GE3. SIA447DJ-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA447DJ-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIA447DJ-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 80nC @ 8V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2880pF @ 6V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / футляр : PowerPAK® SC-70-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.