Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. APT11N80KC3G

Microsemi Corporation - APT11N80KC3G

KEY Part #: K6409003

[433шт шт]

    Частка нумар:
    APT11N80KC3G
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT11N80KC3G. APT11N80KC3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT11N80KC3G Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : APT11N80KC3G
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
    Серыя : CoolMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 11A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1585pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 156W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 [K]
    Пакет / футляр : TO-220-3

    Апошнія навіны

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VN2222LLRLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • FDD6N20TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK.

    • FDD8444L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

    • HUFA76609D3ST

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

    • FDD6N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

    • FDD3N40TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 400V 2A DPAK.

    Гарачыя часткі