Toshiba Semiconductor and Storage - TK31V60W,LVQ

KEY Part #: K6416825

TK31V60W,LVQ Цэнаўтварэнне (USD) [20242шт шт]

  • 1 pcs$2.09006
  • 2,500 pcs$2.07966

Частка нумар:
TK31V60W,LVQ
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W,LVQ. TK31V60W,LVQ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31V60W,LVQ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK31V60W,LVQ
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3000pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 240W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 4-DFN-EP (8x8)
Пакет / футляр : 4-VSFN Exposed Pad

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.