SCS308APC9 Цэнаўтварэнне (USD) [21799шт шт]
- 1 pcs$1.98315
- 10 pcs$1.76941
- 25 pcs$1.59251
- 100 pcs$1.45092
- 250 pcs$1.30937
- 500 pcs$1.17489
- 1,000 pcs$0.94006
- 2,500 pcs$0.89305
- Частка нумар:
- SCS308APC9
- Вытворца:
- Rohm Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP. Schottky Diodes & Rectifiers 3rd Gen SiC Schottky Br. Diode 650V 8A
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Модулі драйвераў харчавання ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor SCS308APC9. SCS308APC9 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SCS308APC9 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SCS308APC9
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.5V @ 8A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
40µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F :
400pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18