Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-GE3

KEY Part #: K6407724

[874шт шт]


    Частка нумар:
    SI2351DS-T1-GE3
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI2351DS-T1-GE3. SI2351DS-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2351DS-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI2351DS-T1-GE3
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
    Серыя : TrenchFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.8A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 5.1nC @ 5V
    Vgs (макс.) : ±12V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 250pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta), 2.1W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3 (TO-236)
    Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • FDD45AN06LA0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 25A DPAK.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.