STMicroelectronics - STP80N10F7

KEY Part #: K6398428

STP80N10F7 Цэнаўтварэнне (USD) [33884шт шт]

  • 1 pcs$1.21633
  • 10 pcs$1.04316
  • 100 pcs$0.83821
  • 500 pcs$0.65193
  • 1,000 pcs$0.54016

Частка нумар:
STP80N10F7
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STP80N10F7. STP80N10F7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP80N10F7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STP80N10F7
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Серыя : DeepGATE™, STripFET™ VII
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3100pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 110W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.

  • TK10A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.