Частка нумар :
ZXMN10A25GTA
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
17nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
859pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-223
Пакет / футляр :
TO-261-4, TO-261AA