IXYS - IXTQ76N25T

KEY Part #: K6417076

IXTQ76N25T Цэнаўтварэнне (USD) [24592шт шт]

  • 1 pcs$1.93682
  • 30 pcs$1.92718

Частка нумар:
IXTQ76N25T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTQ76N25T. IXTQ76N25T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ76N25T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTQ76N25T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 250V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 76A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 460W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.