Частка нумар :
SI2333DS-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.1A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1100pF @ 6V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
750mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3