Vishay Siliconix - SQJ942EP-T1_GE3

KEY Part #: K6523053

SQJ942EP-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [178202шт шт]

  • 1 pcs$0.20756

Частка нумар:
SQJ942EP-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJ942EP-T1_GE3. SQJ942EP-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ942EP-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJ942EP-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Магутнасць - Макс : 17W, 48W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.