IXYS - IXTX32P60P

KEY Part #: K6398885

IXTX32P60P Цэнаўтварэнне (USD) [6044шт шт]

  • 1 pcs$8.24211
  • 10 pcs$7.12568
  • 100 pcs$6.05685

Частка нумар:
IXTX32P60P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTX32P60P. IXTX32P60P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTX32P60P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTX32P60P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Серыя : PolarP™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 32A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 196nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 11100pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 890W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PLUS247™-3
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • SPA02N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 2A TO-220.